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申请/专利权人:杭州电子科技大学
摘要:本发明涉及交变电场下可控硅基微纳球腔螺旋迁移的研究方法,包括:利用激光加工方法对硅基内部进行加工;通过对硅基施加热场、恒定电场、交变电场,设置不同的温度以及电场强度和方向,建立热场、恒定电场作用下微腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型以及热场、交变电场作用下微腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型;分别将上述数学模型在COMSOL软件进行仿真模拟。本发明通过施加热场和均匀电场能够实现硅基微纳球腔形状保持稳定地定向迁移,能够实现硅基微纳球腔的三维运动,可通过施加交变电场来实现并且控制球腔的三维运动,能够有效地得到更高质量、更优质性能的微纳器件。
主权项:1.交变电场下可控硅基微纳球腔螺旋迁移的研究方法,特征在于,包括以下步骤:S1、利用激光加工方法对硅基内部进行加工,以在硅基上形成微纳球腔;S2、通过对经过步骤S1处理的硅基施加热场、恒定电场、交变电场,设置不同的温度以及电场强度和方向,建立热场、恒定电场作用下微纳球腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型以及热场、交变电场作用下微纳球腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型,对硅基微纳球腔周围原子的分布情况进行分析同时探究球腔表面原子与电子之间的能量交换,从而得到交变电场下可控硅基微纳球腔空间螺旋迁移的轨迹状况;S3、分别将热场、恒定电场作用下微纳球腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型以及热场、交变电场作用下微纳球腔形态稳定且发生空间螺旋迁移的数学模型在COMSOL软件进行仿真模拟。
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百度查询: 杭州电子科技大学 交变电场中可控硅基微纳球腔螺旋迁移的研究方法
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