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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种非易失性存储器件，包括：衬底；模制结构，所述模制结构包括多个栅电极以及多个模制绝缘层，其中，所述多个栅电极以阶梯形状堆叠；沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述模制结构；单元接触，所述单元接触延伸穿过所述模制结构，所述单元接触连接到第一栅电极，所述单元接触不电连接到所述多个栅电极之中的第二栅电极，其中，所述第一栅电极包括延伸部、垂直厚度大于所述延伸部的垂直厚度的焊盘部、和将所述焊盘部电连接到所述单元接触的连接部，所述连接部的垂直厚度小于所述焊盘部的垂直厚度；以及一个或更多个第一绝缘环，所述一个或更多个第一绝缘环位于所述连接部上。
主权项：1.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底包括存储单元区域和连接区域；模制结构，所述模制结构包括顺序地堆叠在所述存储单元区域和所述连接区域上的多个栅电极以及与所述多个栅电极交替堆叠的多个模制绝缘层，其中，所述多个栅电极以阶梯形状堆叠在所述连接区域上，并且包括第一栅电极和第二栅电极；沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述存储单元区域上的所述模制结构；单元接触，所述单元接触延伸穿过所述模制结构，其中，所述单元接触电连接到所述第一栅电极并且不电连接到所述第二栅电极；其中，所述第一栅电极包括：延伸部，所述延伸部在所述存储单元区域上延伸；焊盘部，其中，所述焊盘部的垂直厚度大于所述延伸部的垂直厚度；和连接部，所述连接部将所述焊盘部电连接到所述单元接触，其中，所述连接部的垂直厚度小于所述焊盘部的垂直厚度，以及一个或更多个第一绝缘环，所述一个或更多个第一绝缘环位于所述连接部上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 非易失性存储器件和包括其的电子系统
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