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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种用于SEM‑DIC应变场分析的多尺度微纳米散斑制备方法，包括以下步骤：旋涂法在光滑平整的式样表面制备纳米级散斑；确定单粒径宏观数字散斑场的最优参数，生成数字散斑图，制备宏观散斑的掩版；将胶带垫在掩版与式样之间，使得掩版固定于式样中心标距位置，且掩版与式样表面不接触；将带有掩版的式样放置于磁控溅射系统的载物台上，靶材使用InSn合金，使用磁控溅射法获得宏观散斑；对制备得到的散斑进行质量评估，合格后进行DIC分析。本发明提供了一种多尺度微纳米散斑的制备方法，能够支撑原位SEM力学测试过程中多尺度的应变分析。
主权项：1.一种用于SEM-DIC应变场分析的多尺度微纳米散斑制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备胶体二氧化硅悬浊液，利用旋涂法在光滑平整的式样表面涂敷均匀的胶体二氧化硅颗粒，实现纳米散斑的制备；S2：确定单粒径宏观数字散斑场的最优参数，生成数字散斑图，制备宏观散斑的掩版；S3：在S1纳米散斑制备完成的基础上，将胶带垫在掩版与式样之间，使得掩版固定于式样中心标距位置，且掩版与式样表面不接触；S4：将带有掩版的式样放置于磁控溅射系统的载物台上，靶材使用InSn合金，调整磁控溅射过程中的四个参数：样品与靶材之间的距离、工作时腔体的压力、等离子电流以及沉积时间；完成沉积后，取下掩版，式样多尺度散斑制备完成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种用于SEM-DIC应变场分析的多尺度微纳米散斑制备方法
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