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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明属于宽禁带半导体薄膜生长技术领域，具体涉及在掺铝氧化锌表面低温制备β相氧化镓薄膜的方法及产品。方法包括以下步骤：S1、通过磁控溅射在衬底上生长掺铝氧化锌薄膜，生长完成后将生长有掺铝氧化锌薄膜的衬底降温至室温；S2、使用掺杂锆的氧化镓靶材在室温下通过磁控溅射在掺铝氧化锌薄膜上生长β相氧化镓薄膜。本发明通过利用掺铝氧化锌与β相氧化镓薄膜的适配以及利用掺杂锆调控β相氧化镓的结晶，实现了在室温下即可制备得到高质量、高结晶度、大尺寸的β相氧化镓薄膜，有效解决了目前β相氧化镓薄膜制备方法存在的温度高、成本高、沉积速率慢和结晶质量低的难题。
主权项：1.一种在掺铝氧化锌表面低温制备β相氧化镓薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、通过磁控溅射在衬底上生长掺铝氧化锌薄膜，生长完成后将生长有掺铝氧化锌薄膜的衬底降温至室温；S2、使用掺杂锆的氧化镓靶材在室温下通过磁控溅射在掺铝氧化锌薄膜上生长β相氧化镓薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 在掺铝氧化锌表面低温制备β相氧化镓薄膜的方法及产品
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