龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：江苏帝奥微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺，包含浮栅控制电容、浮栅擦除隧穿电容、浮栅写入隧穿电容、浮栅MOS管和浮栅多晶硅齐纳管。本发明采用两个隧穿电容可以将进行擦除操作的浮栅多晶硅阱电容和进行写入操作的浮栅多晶硅阱电容分开，可以实现隧穿电容的擦写次数提升至现有技术的2倍以上。另外，本发明集成了多晶硅稳压二极管，在擦写的高压施加时，浮栅的保护稳压二极管会实现瞬态的钳位，降低浮栅MOS管的浮栅与源漏之间的压降，从而减少了擦写时高压对浮栅MOS栅氧化层的应力冲击，提升了可靠性。
主权项：1.一种EEPROM单元，其特征在于：包含浮栅控制电容、浮栅擦除隧穿电容、浮栅写入隧穿电容和浮栅MOS管，浮栅控制电容的一端为CG端口，浮栅控制电容的另一端与浮栅擦除隧穿电容的一端、浮栅写入隧穿电容的一端和浮栅MOS管的栅极连接，浮栅擦除隧穿电容的另一端为EG端口，浮栅写入隧穿电容的另一端为PG端口，浮栅MOS管的源极连接电源VDD，浮栅MOS管的漏极为Read端口；还包含浮栅多晶硅齐纳管，浮栅多晶硅齐纳管的阴极与浮栅控制电容的另一端、浮栅擦除隧穿电容的一端和浮栅写入隧穿电容的一端连接，浮栅多晶硅齐纳管的阳极与浮栅MOS管的栅极连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏帝奥微电子股份有限公司 一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号