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申请/专利权人:福吉米株式会社
摘要:本发明提供一种研磨方法及半导体基板的制造方法。所述研磨方法中,硅锗的研磨速度足够高、且抑制硅锗的蚀刻,从而硅锗的研磨速度的选择比足够高。本发明的研磨方法包括如下工序:使用研磨用组合物对包含硅锗的研磨对象物进行研磨,前述研磨用组合物包含磨粒、无机盐、及具有酸基的研磨促进剂,且pH为8以上。
主权项:1.一种研磨方法,其包括如下工序:使用研磨用组合物对包含硅锗的研磨对象物进行研磨,所述研磨用组合物包含磨粒、无机盐、氧化剂及具有酸基的研磨促进剂,且pH为8以上,其中,所述无机盐为选自由硝酸铵、硫酸铵、硫酸氢铵、磷酸三铵、磷酸氢二铵、及磷酸二氢铵组成的组中的至少一种,所述研磨促进剂为选自由N-2-羟乙基乙二胺-N,N’,N’-三乙酸、N,N,N’,N’-乙二胺四亚甲基膦酸、2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸、N,N-二2-羟乙基甘氨酸、天冬氨酸、及S,S-乙二胺-N,N’-二琥珀酸组成的组中的至少一种。
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权利要求:
百度查询: 福吉米株式会社 研磨方法及半导体基板的制造方法
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