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一种用于TSV高深径比通孔电沉积铜填充工艺的添加剂 

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申请/专利权人:湖北兴福电子材料股份有限公司

摘要:本发明特别涉及一种用于TSV高深径比通孔电沉积铜填充工艺的添加剂,属于MEMS晶圆TSV高深径比通孔电沉积铜填充领域,为整平剂中的一种。所述整平剂的化学结构式为:所述整平剂具有抑制铜沉淀的作用,且能够吸附在微孔孔口和孔外镀层凸起的高电荷密度区,故能使镀层起到整平作用,和避免了电沉积过程中孔径的缩小甚至于提前封孔的异常发生,明显降低电沉积铜填充过程中的微裂缝和微空洞出现的可能性。此整平剂与抑制剂、加速剂协同作用,可保证质量信赖性而且不影响电沉积速度。

主权项:1.一种用于TSV高深径比通孔电沉积铜填充工艺的添加剂,其特征在于,所述添加剂包括整平剂,所述整平剂的化学结构式如下: ,所述添加剂还包括加速剂和抑制剂;其中,所述抑制剂为聚乙烯醇类化合物;所述加速剂为硫醇类化合物,所述整平剂的添加量为10~30ppm,聚乙烯醇类化合物的添加量为120~300ppm,所述的硫醇类化合物的添加量为0.1-10ppm。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种用于TSV高深径比通孔电沉积铜填充工艺的添加剂

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