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申请/专利权人:意法半导体股份有限公司
摘要:本公开的一个或多个实施例涉及电子器件,包括:MEMS传感器器件,包括转换结构,转换结构被配置为在操作中将化学量或物理量转换为对应电学量;帽,包括:半导电衬底;以及导电区域,在半导电衬底与MEMS传感器器件之间延伸,导电区域包括:第一部分,相对于半导电衬底横向布置并且被暴露;以及第二部分,与半导电衬底接触;键合介电区域,将帽机械耦合到MEMS传感器器件。
主权项:1.一种电子器件,其特征在于,包括:微机电系统MEMS传感器器件;帽,所述帽包括:半导电衬底;以及导电区域,在所述半导电衬底与所述MEMS传感器器件之间延伸,所述导电区域包括:第一部分,相对于所述半导电衬底横向布置并且被暴露;以及第二部分,与所述半导电衬底接触;键合介电区域,将所述帽机械耦合到所述MEMS传感器器件。
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