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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了三维Ti3C2表面构筑含磷空位的Ni掺杂CoP的制备方法，先在三维多孔褶皱Ti3C2表面生长纳米片状NiCo‑LDH，然后经过磷化得到Ni掺杂CoP，最后通过调控还原时间引入磷空位，制备得到三维Ni‑CoP1‑xTi3C2电极材料。本发明具有磷空位的Ni‑CoP1‑xTi3C2电极材料在碱性电解质中具有超高的质量比容量、优异的倍率性能和较好的循环稳定，并且具有合成简单，操作容易等优点，能够为超级电容器的发展提供创新技术支持和理论支撑。
主权项：1.三维Ti3C2表面构筑含磷空位的Ni掺杂CoP的制备方法，其特征在于，先在三维多孔褶皱Ti3C2表面生长纳米片状NiCo-LDH，然后经过磷化得到Ni掺杂CoP，最后通过调控还原时间引入磷空位，制备得到三维Ni-CoP1-xTi3C2电极材料。
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百度查询： 西安理工大学 三维Ti3C2表面构筑含磷空位的Ni掺杂CoP的制备方法
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