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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种具有阶梯式源区栅极的垂直型极化掺杂InNInGaN基隧穿场效应晶体管，主要解决传统隧穿场效应晶体管导通电流较低的问题。其包括：衬底、漏区、沟道区、源区和介质层；该漏区的两侧为漏极，源区的上侧为源极，该沟道区采用底部为矩形、矩形中间上部为阶梯状斜边的梯形一体结构，梯形沟道内设有栅极；该介质层位于栅极的边缘与沟道区的阶梯状斜边区域以及矩形区域的上部之间；源区分布在沟道区的阶梯状斜边区域左右两侧，且分别与阶梯状斜边区域相接触，其高度、倾斜角相同，二者的阶梯相互吻合。本发明避免了传统器件的随机掺杂波动效应，并通过引入了阶梯式的栅源结构，提高了器件的导通电流，可用于低功耗集成电路。
主权项：1.一种具有阶梯式源区栅极的垂直型极化掺杂InNInGaN基隧穿场效应晶体管，包括：衬底1、漏区2、沟道区3、源区4和介质层5，该漏区的两侧为漏极6，源区的两侧为源极7，其特征在于：所述沟道区3采用底部为矩形、矩形中间上部为阶梯状斜边的梯形一体结构，该梯形沟道内设有栅极8；所述介质层5位于栅极8的边缘与沟道区3的阶梯状斜边区域以及矩形区域的上部之间；所述源区4分布在沟道区3的阶梯状斜边区域左右两侧，且分别与阶梯状斜边区域相接触，其高度、倾斜角相同，二者的阶梯相互吻合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 具有阶梯式源区/栅极的垂直型极化掺杂InN/InGaN基隧穿场效应晶体管
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