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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开了一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法，其特征在于在衬底上先用生长速度慢的同质靶材生长一层AlN薄膜A层，再用生长速度快的异质靶材生长一层AlN薄膜B层，如此循环进行，获得夹层沉积AlN薄膜。采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，利用同质靶材与异质靶材本身的不同生长机制，可以同时获得表面平整的AlN薄薄膜，且具有较快的生长速度，可以很好地兼容大批量低成本制备工艺。同时，采用本发明方法生长获得的夹层AlN薄膜，有利于在后续高温退火中释放再结晶应力，可以实现低应力的AlN晶体薄膜。
主权项：1.一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法，其特征在于在衬底上先用生长速度慢的同质靶材生长一层AlN薄膜A层，再用生长速度快的异质靶材生长一层AlN薄膜B层，如此循环进行，获得夹层沉积AlN薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种夹层沉积AlN薄膜的溅射生长方法
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