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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置，属于AlN晶体生长技术领域。本发明采用温梯调控结构，利用热流阻隔部件和热流疏导部件互相配合，能够大幅减小坩埚内部尤其是籽晶和生长的晶体上的径向温梯，减少晶体生长和降温过程中的应力，同时，采用凹坑结构的烧结粉体，增加了粉体的表面积，提高粉块升华的效率和到达籽晶表面的气体源的均匀性，此外，本发明采用的AlN同质材料制成的籽晶托，能够大幅度减少生长后的降温过程中晶体与籽晶托之间由于热膨胀系数的差异所引入的应力。
主权项：1.一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置，其特征在于，包括加热器、无盖坩埚、籽晶托、温梯调控结构和粉体，所述无盖坩埚放置在加热器内部，所述无盖坩埚中放置烧结AlN的粉体，所述粉体的上部设有一个或几个凹坑，在无盖坩埚上平放AlN同质材料制成的籽晶托作为坩埚盖，在所述籽晶托上方放置温梯调控结构，所述温梯调控结构包括热流疏导部件和热流阻隔部件，所述热流疏导部件由3-10片圆形金属片上下间隔平行组合而成，所述热流阻隔部件由3-10片圆环形金属片上下间隔平行组合而成，上述金属片之间通过插钉、铆接或焊接固定，其中，所述热流疏导部件的金属片之间的空隙厚度与金属片厚度的比值LgapLmetal≈0.5-100；所述热流疏导部件的金属片之间的空隙厚度与金属片厚度的比值LgapLmetal≈0-0.5；所述热流阻隔部件放在所述热流疏导部件中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置
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