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晶体生长的控制方法和晶体生长设备 

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申请/专利权人:中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司

摘要:本发明公开了一种晶体生长的控制方法和晶体生长设备,所述晶体生长的控制方法包括:包括:S1,向炉体内通入温度为预设温度的氩气;S2,获取晶体在生长界面位置的界面尺寸参数;S3,根据所述界面尺寸参数确定炉体内所需的氩气温度为第一温度;S4,将通入所述炉体内的氩气温度调节为所述第一温度。根据本发明的晶体生长的控制方法,通过改变氩气的温度,可以直接快速改变生长界面处的温度,由此,可以快速地调节生长界面处的温度,从而及时控制晶体直径,抑制晶体直径变化幅度,稳定晶体的生长速度,进而提高晶体的品质,并且对生长界面处的温度调节快,响应速度快,对晶体的品质控制效果更佳。

主权项:1.一种晶体生长的控制方法,其特征在于,包括:S1,向炉体内通入温度为预设温度的氩气;S2,获取晶体在生长界面位置的界面尺寸参数;S3,根据所述界面尺寸参数确定炉体内所需的氩气温度为第一温度;S4,将通入所述炉体内的氩气温度调节为所述第一温度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 中环领先半导体科技股份有限公司 晶体生长的控制方法和晶体生长设备

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