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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种硅片、处理方法和硅片的制备方法。本申请的硅片具有硅衬底，硅衬底表面具有粗糙层，粗糙层的表面粗糙度Ra≥0.7μm。本申请的硅片通过以下方法制备：在硅衬底的至少一面形成粗糙层。本申请制备的硅片经过表面处理，显著增大硅片表面粗糙度，经过表面处理的硅片可在DDG工序使用，避免打滑现象。
主权项：1.一种硅片的制备方法，其特征在于，用于制备具有硅衬底（100）的硅片，所述制备方法包括：通过研磨机对所述硅衬底（100）进行减薄的步骤，所述研磨机为金刚石砂轮研磨机；在所述减薄的步骤之前，对所述硅衬底（100）进行粗糙处理，使所述硅衬底（100）的至少一面形成粗糙层（110）；所述粗糙层（110）的表面粗糙度Ra≥0.7μm；所述粗糙层（110）制备方法包括：通过腐蚀处理、等离子轰击处理或高能粒子辐射处理中的一种或多种方法形成所述粗糙层（110），其中，所述腐蚀处理的时间范围为200~400s；形成所述粗糙层（110）之前，对所述硅衬底（100）的至少一面进行第一表面处理，以进行第一次除杂；所述第一表面处理采用第二溶液，所述第二溶液包括质量百分比为20%~40%的KOH和5%~10%的H2O2，余量为水；其中，所述硅衬底（100）通过金刚线切割得到。
全文数据：
权利要求：
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