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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体装置与其制造方法，制造半导体装置的方法包含：减少与载体晶圆接合的装置晶圆的厚度；其中装置晶圆包含装置、超出装置的载体晶圆的一部分，在平面图中，称为非接合区，以及与装置重叠的载体晶圆的一部分，在平面图中，称为装置区。此方法还包含：对载体晶圆的非接合区进行蚀刻工艺，其中蚀刻工艺完全在载体晶圆的装置区之外进行。
主权项：1.一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：减少与一载体晶圆接合的一装置晶圆的一厚度，其中该装置晶圆包含一装置、超出该装置的该载体晶圆的一部分，在一平面图中称为一非接合区，以及与该装置重叠的该载体晶圆的一部分，在该平面图中称为一装置区；以及对该载体晶圆的该非接合区进行一蚀刻工艺，其中该蚀刻工艺完全是在该载体晶圆的该装置区之外进行。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置与其制造方法
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