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申请/专利权人：晶元光电股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含第一型半导体结构具有第一晶格常数，且包含第一侧及第二侧相对于第一侧；活性结构位于第一型半导体结构的第一侧上且发出一辐射，且该辐射的峰值波长介于1000纳米至2000纳米之间；以及接触层位于第一型半导体结构的第二侧上，具有第二晶格常数。其中第二晶格常数与第一晶格常数之间的差距至少0.5％，且该接触层包含III‑V族半导体材料。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包含：第一型半导体结构，具有第一晶格常数，且包含第一侧及第二侧相对于该第一侧；活性结构，位于该第一侧上，且发出一辐射，且该辐射的峰值波长介于1000纳米至2000纳米之间；以及接触层，位于该第二侧上，具有第二晶格常数；其中，该第二晶格常数与该第一晶格常数之间的差距至少0.5％，且该接触层包含III-V族半导体材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶元光电股份有限公司 半导体元件
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