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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法，用于解决外部连接层容易与栅极导体层或者其他导电膜层之间发生漏电，进而影响半导体结构性能的问题。该半导体结构的栅介质层设置在衬底和导电层之间，衬底包括同层设置的半导体基底以及绝缘基底，导电层包括在衬底上的投影覆盖半导体基底的栅极导体层、以及在衬底上的投影覆盖绝缘基底的外部连接层，栅极导体层、栅介质层以及半导体基底构成晶体管结构，外部连接层朝向衬底的底面上设置有凹槽，凹槽内填充有绝缘体；设置在凹槽内的绝缘体可以减小外部连接层的体积，进而避免外部连接层与其他的导电膜层之间发生漏电，提高了半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：层叠设置的衬底、栅介质层以及导电层，所述栅介质层位于所述衬底和所述导电层之间；所述衬底包括同层设置的半导体基底以及绝缘基底，所述导电层包括在所述衬底上的投影覆盖所述半导体基底的栅极导体层、以及在所述衬底上的投影覆盖所述绝缘基底的外部连接层，所述外部连接层朝向所述衬底的底面设置有凹槽，所述凹槽内填充有绝缘体。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及半导体结构制作方法
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