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申请/专利权人：格芯新加坡私人有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。可以提供一种半导体器件，其包括：基底层；被布置在基底层之上的绝缘层；至少部分地被布置在绝缘层内的存储器结构，其中该存储器结构包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的中间元件；以及至少部分地被布置在绝缘层内的电阻器，其中该电阻器被布置在与第一电极和第二电极中的一者基本上相同的水平平面中。
主权项：1.一种半导体器件，包括：基底层；被布置在所述基底层之上的绝缘层；至少部分地被布置在所述绝缘层内的存储器结构，其中所述存储器结构包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的中间元件；以及至少部分地被布置在所述绝缘层内的第一电阻器，其中所述第一电阻器被布置在与所述第一电极相同的水平平面中；至少部分地被布置在所述绝缘层内并且在所述第一电阻器之上的第二电阻器，其中所述绝缘层的一部分被布置在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间；至少部分地被布置在所述基底层内的第一接触；至少部分地被布置在所述绝缘层内的第二接触；以及在所述第一接触与所述第二接触之间延伸的过孔；其中，所述第一电阻器被布置在所述第一接触之上并且邻接所述第一接触，以及其中，所述第二电阻器被布置在所述第二接触之下并且邻接所述第二接触。
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权利要求：
百度查询： 格芯新加坡私人有限公司 半导体器件以及形成半导体器件的方法
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