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申请/专利权人：东南大学
摘要：本发明公开了一种关于IGBT外延层的退化表征方法，包括：向器件栅极施加恒定的偏置电压并叠加小信号，对器件的集电极和发射极之间进行电压扫描；检测多个集电极和发射极偏置电压点下，栅极和集电极之间的电容值Cgc；计算出每个Vce值下的衬底电容Csub，并绘制Csub‑Vce曲线及1C2sub‑Vce曲线，提取结型场效应区表面MOS电容Coj随Vce变化曲线；当器件由于应力发生退化后，计算此时的衬底电容Csub值并且绘制Csub‑Vce曲线及1C2sub‑Vce曲线；对比器件退化前后曲线的漂移情况，分析计算缺陷电荷种类，位置和密度；本发明方法简便易行，可准确快速地测定器件外延层缺陷电荷。
主权项：1.一种关于IGBT外延层的退化表征方法，其特征在于，执行如下步骤S1-步骤S5，表征IGBT器件外延层的损伤类型、密度和位置：步骤S1：搭建测试电路，针对待测IGBT器件，用电压源向待测IGBT器件的栅极施加恒定的偏置电压并叠加交流小信号，对待测IGBT器件的集电极和发射极之间进行0V-Vce1的负向电压扫描；步骤S2：针对待测IGBT器件，向其集电极和发射极施加多个偏置电压Vce，提取在0V-Vce1之间的栅极和集电极之间的电容Cgc；步骤S3：计算每个偏置电压Vce值下的衬底电容Csub，并绘制Csub-Vce曲线及1C2sub-Vce曲线，通过运算提取结型场效应区表面MOS电容Coj随偏置电压Vce变化曲线；步骤S4：向待测IGBT器件施加应力，当待测IGBT器件由于应力而发生退化后，重复步骤S1-步骤S2，基于栅极和集电极之间的电容Cgc与结型场效应区表面MOS电容Coj，运算得到应力后的衬底电容Csub值，并且绘制待测IGBT器件退化后的Csub-Vce曲线及1C2sub-Vce曲线；步骤S5：对比待测IGBT器件退化前后Csub-Vce曲线及1C2sub-Vce曲线的漂移情况，判断待测IGBT器件的外延层的缺陷电荷的种类，计算缺陷电荷的密度，并表征缺陷电荷的位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 一种关于IGBT外延层的退化表征方法
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