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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种晶体管、半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决晶体管关态漏电流较大的技术问题，该晶体管包括：衬底、设置在衬底上的介质层、位于介质层内的有源层和栅极；有源层包括源区、漏区，以及位于源区和漏区之间的有源层；有源层完全嵌入介质层中，并且有源层和衬底不是同一种材料；沿第一方向，栅极与有源层间隔设置，且栅极设置在有源层远离衬底的一侧。通过调整有源层的材质，并降低有源层内氧空位的缺陷密度，抑制有源层的电子与空穴的复合，从而以减小晶体管的关态漏电流，提高晶体管阈值电压的可控性、均一性，以提高晶体管的性能。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底、设置在所述衬底上的介质层、位于所述介质层内的有源层和栅极；所述有源层包括源区、漏区，以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；所述有源层完全嵌入所述介质层中，并且所述有源层和所述衬底不是同一种材料；沿第一方向，所述栅极与所述有源层间隔设置，且所述栅极设置在所述有源层远离所述衬底的一侧。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 晶体管、半导体结构及其制作方法
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