首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

AlN单晶的制造方法、AlN单晶和AlN单晶制造装置 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:国立大学法人东北大学;同和控股(集团)有限公司

摘要:提供:能廉价且连续地制造AlN单晶的AlN单晶的制造方法、AlN单晶和AlN单晶制造装置。一种AlN单晶的制造方法,其包括如下工序:熔液形成工序,将包含Al的合金加热、熔解,形成前述合金的熔液;和,析出工序,一边将熔液的一部分冷却而在熔液中设置温度梯度,一边使AlN单晶析出,析出工序中,使含氮气体与熔液内的高温部接触,且在熔液内的低温部保持单晶的AlN晶种或晶体生长用的基板,从而边持续进行高温部中的氮向熔液的掺入,边在低温部中使AlN单晶在AlN晶种或基板上析出,使AlN单晶连续地生长。

主权项:1.一种AlN单晶的制造方法,其特征在于,包括如下工序:熔液形成工序,将包含Al的合金加热、熔解,形成所述合金的熔液;和,析出工序,一边所述熔液的一部分冷却而在所述熔液中设置温度梯度,一边使AlN单晶析出,所述析出工序中,使含氮气体与所述熔液内的高温部接触,且在所述熔液内的低温部保持单晶的AlN晶种或晶体生长用的基板,从而边持续进行所述高温部中的氮向所述熔液的掺入,边在所述低温部使所述AlN单晶在所述AlN晶种或所述基板上析出,使所述AlN单晶连续地生长。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 国立大学法人东北大学 同和控股(集团)有限公司 AlN单晶的制造方法、AlN单晶和AlN单晶制造装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。