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申请/专利权人：大连海事大学
摘要：本发明涉及一种纯相纳米AlN粉体及其制备方法和应用，属于陶瓷粉体制备领域。一种纯相纳米AlN粉体的制备方法，将γ‑Al2O3粉体原料于液相介质中进行预球磨、烘干；再将经预球磨的γ‑Al2O3粉体置于葡萄糖水溶液中继续球磨，然后向球磨后的γ‑Al2O3‑葡萄糖料浆中注入去离子水，超声分散后，将料浆放入反应釜，通过水热法获得C包覆γ‑Al2O3结构的γ‑Al2O3C前驱体；最后，γ‑Al2O3C前驱体在氮气中快速加热，经碳热还原氮化制得纯相纳米AlN粉体。该方法原料易得且价格低廉，无需加入其它助剂，仅通过常规的水热法而无须采用燃烧合成或热裂解法即可获得C包覆γ‑Al2O3结构的γ‑Al2O3C前驱体，成本低，生产过程环保、工艺简单，可操控性强，易实现产业化。
主权项：1.一种纯相纳米AlN粉体的制备方法，其特征在于：将比表面积大于100m2g，平均粒径小于50nm的絮状多孔结构的γ-Al2O3粉体原料于液相介质中进行预球磨、烘干；再将经预球磨的γ-Al2O3粉体置于葡萄糖水溶液中继续球磨，然后向球磨后的γ-Al2O3-葡萄糖料浆中注入去离子水，超声分散后，将γ-Al2O3-葡萄糖料浆倒入反应釜中，在160-200℃保温20-30h后，将所得料浆离心清洗、烘干、过筛，得C包覆γ-Al2O3结构的γ-Al2O3C前驱体；最后，γ-Al2O3C前驱体在氮气中加热，经碳热还原氮化制得纯相纳米AlN粉体，其中，升温速率为30-60℃min，AlN粉体合成温度为1550-1650℃，保温时间为30-120min。
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百度查询： 大连海事大学 一种纯相纳米AlN粉体及其制备方法和应用
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