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申请/专利权人：中国科学院金属研究所
摘要：本发明涉及半导体发光器件领域，具体为一种AlNAl2O3非共格界面紫外发光器件及其制备方法，适用于大尺寸、高质量、强发光强度的二维发光器件的制备。AlN薄膜为直接带隙半导体，是典型的深紫外发光材料，发光波长为210nm；通过将AlN薄膜生长在Al2O3衬底上，二者异质界面之间大的界面相互作用使原子与电子结构发生显著变化，界面处产生320nm波长紫外发光，即形成AlNAl2O3非共格界面二维紫外发光器件。通过脉冲激光沉积方法在Al2O30001单晶衬底上生长AlN薄膜，生长后的AlN薄膜经缓慢冷却至室温，得到高质量的AlN单晶薄膜。本发明为非共格界面在功能器件领域应用提供了一种新的思路，为新型二维界面发光器件在光电、照明以及信息通讯相关领域的发展奠定基础。
主权项：1.一种AlNAl2O3非共格界面紫外发光器件，其特征在于，AlN薄膜本身为宽禁带半导体材料，薄膜厚度取决于生长过程中沉积的时间；并且，AlN薄膜为直接带隙半导体，是典型的深紫外发光材料，发光波长为210nm；通过将AlN薄膜生长在Al2O3衬底上，二者异质界面之间大的界面相互作用使原子与电子结构发生显著变化，界面处产生320nm波长紫外发光，即形成AlNAl2O3非共格界面二维紫外发光器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院金属研究所 一种AlN/Al2O3非共格界面紫外发光器件及其制备方法
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