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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN高电子迁移率器件耐压低、散热性能差、欧姆接触质量低的问题。其自下而上包括AlN单晶衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒层、SiN欧姆接触层和钝化层，SiN欧姆接触层的上部两端为源、漏电极，钝化层与AlN势垒层之间的中部设有栅脚，钝化层上表面的栅脚向左右延伸形成栅帽，栅脚与栅帽共同构成T型栅电极。本发明采用超薄且高热导率的AlN作为缓冲层和势垒层，提高了晶体管的耐压能力和散热能力，并通过采用SiN欧姆接触层，降低晶体管的欧姆接触电阻，提升其欧姆接触质量，可用作高压功率和微波射频器件。
主权项：1.一种基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管，包括衬底1、缓冲层2、GaN沟道层3、势垒层4、源电极6、漏电极7、钝化层8和T型栅电极9，其特征在于：所述衬底1采用高热导率AlN单晶材料，利用其作为超宽禁带半导体高导热性和高电绝缘性的优势，提高器件的散热能力，缓解器件自热效应；所述缓冲层2采用厚度为50nm～200nm的超薄AlN材料，以抑制2DEG的泄漏，利于器件的散热，提高器件的耐压能力和可靠性；所述势垒层4采用厚度为3nm～6nm的AlN材料，其与GaN沟道层3形成AlNGaN异质结，以产生更大的2DEG浓度，该AlN势垒层上方设有厚度为2nm～4nm的SiN欧姆接触层5，以与源、漏电极形成良好的欧姆接触。
全文数据：
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百度查询： 西安电子科技大学 基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法
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