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申请/专利权人：上海华大九天信息科技有限公司
摘要：本申请涉及一种基于GaNHEMT的自热效应建模方法、装置及电子设备，涉及电路技术领域，其中方法包括首先获取GaNHEMT器件对应的源漏电流模型中的目标参数数据，目标参数数据包括目标电压参数数据和目标温度参数数据；依据目标电压参数数据和目标温度参数数据，生成GaNHEMT器件对应的目标温度曲线，目标温度曲线为温度随电压变化的曲线；按照目标温度曲线构建GaNHEMT器件对应的温度模型；基于Verilog‑A将温度模型在预设仿真器中进行仿真，得到满足预设仿真条件的目标温度模型。与目前现有技术相比，本申请不需要依赖于复杂的热子电路模型，而是直接利用温度数据和电压数据来建立温度与器件性能之间的关系，极大的提高了仿真器仿真的效率，提高系统的稳定性。
主权项：1.一种基于GaNHEMT的自热效应建模方法，其特征在于，包括：获取氮化镓高电子迁移率晶体管GaNHEMT器件对应的源漏电流模型中的目标参数数据，所述目标参数数据包括目标电压参数数据和目标温度参数数据；依据所述目标电压参数数据和所述目标温度参数数据，生成所述GaNHEMT器件对应的目标温度曲线，所述目标温度曲线为温度随电压变化的曲线；按照所述目标温度曲线构建所述GaNHEMT器件对应的温度模型；基于Verilog-A将所述温度模型在预设仿真器中进行仿真，得到满足预设仿真条件的目标温度模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华大九天信息科技有限公司 一种基于GaN HEMT器件的自热效应建模方法、装置及电子设备
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