龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一及第二鳍结构；在该衬底上方形成隔离绝缘层；在第一及第二鳍结构的沟道区域上方形成栅极结构，凹进该第一及第二鳍结构的源极漏极区域，且在该凹进的第一及第二鳍结构上方形成外延源极漏极结构。外延源极漏极结构是具有合并点的合并结构，且合并点的底部距隔离绝缘层的上部表面的高度是第一及第二鳍结构的沟道区域距隔离绝缘层的上部表面的高度的50％或更多。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成第一鳍结构及第二鳍结构；在所述衬底上方形成隔离绝缘层，使得所述第一鳍结构及第二鳍结构的下部嵌入所述隔离绝缘层中且所述第一鳍结构及第二鳍结构的上部暴露于所述隔离绝缘层；在所述第一鳍结构及第二鳍结构的沟道区域上方形成栅极结构；在所述第一鳍结构及第二鳍结构的源极漏极区域的相对侧面上形成鳍侧壁；凹进所述第一鳍结构及第二鳍结构的所述源极漏极区域，其中，在凹进所述第一鳍结构及第二鳍结构的源极漏极区域之后，邻近的所述第一鳍结构及第二鳍结构中的第一个鳍结构的剩余鳍侧壁在面向第二个鳍结构的侧上具有比位于所述第一个鳍结构的其它侧上的所述鳍侧壁低的高度；且在所述凹进的第一鳍结构及第二鳍结构上方形成外延源极漏极结构，其中，所述外延源极漏极结构是具有合并点的合并结构，且所述合并点的底部距所述隔离绝缘层的上部表面的高度是所述第一鳍结构及第二鳍结构的所述沟道区域距所述隔离绝缘层的所述上部表面的高度的50％或更多，其中，所述外延源极漏极结构包含依次形成于所述凹进的第一鳍结构及第二鳍结构上方的第一外延层、第二外延层、第三外延层及第四外延层，并且其中，所述第二外延层的P浓度是所述第一外延层到所述第四外延层中最高的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体器件的方法及半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号