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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种CIS的制造方法。包括：通过不含等离子体的沉积工艺在半导体衬底的表面和栅极结构的表面沉积形成第一氧化层；通过不含等离子体的沉积工艺在第一氧化层上沉积形成第二氧化层；通过不含等离子体的沉积工艺在第二氧化层上沉积形成第一氮化硅层；刻蚀第一氮化硅层、第二氧化层和第一氧化层形成位于栅极结构两侧的第一侧墙；通过不含等离子体的沉积工艺沉积形成第三氧化层，第三氧化层覆盖在第一侧墙、半导体衬底、和栅极结构外露的表面；通过不含等离子体的沉积工艺在第三氧化层上沉积形成第二氮化硅层；刻蚀第二氮化硅层和第三氧化层，形成覆盖在第一侧墙外的第二侧墙。
主权项：1.一种CIS的制造方法，其特征在于，所述CIS的制造方法包括以下步骤：提供包含像素单元区的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；通过不含等离子体的沉积工艺在所述半导体衬底的表面和所述栅极结构的表面沉积形成第一氧化层；通过不含等离子体的沉积工艺在所述第一氧化层上沉积形成第二氧化层；通过不含等离子体的沉积工艺在所述第二氧化层上沉积形成第一氮化硅层；刻蚀所述第一氮化硅层、第二氧化层和所述第一氧化层形成位于所述栅极结构两侧的第一侧墙；通过不含等离子体的沉积工艺沉积形成第三氧化层，所述第三氧化层覆盖在所述第一侧墙、半导体衬底、和栅极结构外露的表面；通过不含等离子体的沉积工艺在所述第三氧化层上沉积形成第二氮化硅层；刻蚀所述第二氮化硅层和所述第三氧化层，形成覆盖在所述第一侧墙外的第二侧墙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 CIS的制造方法
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