龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件，方法包括：提供半导体基体，包括衬底、掩膜层、以及设置在半导体基体中的浅沟槽隔离结构，其中，半导体基体划分有阵列区域；在阵列区域的半导体基体中设置有多个栅极堆叠结构；移除阵列区域的掩膜层，并降低阵列区域同一行的源极端之间的浅沟槽隔离结构，进而在源极端和漏极端形成第一半导体层；在源极端的第一半导体层中形成公共源极区，以及在漏极端的第一半导体层中形成漏极区，其中，同一行的多个栅极堆叠结构共用公共源极区；即本申请中通过在衬底上第一半导体层中设置公共源极区和漏极区，抬高源极区和漏极区，使得接触孔工艺和逻辑工艺有效兼容，有效提升存储器件的存储密度，降低成本。
主权项：1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基体，所述半导体基体包括衬底、设置在所述衬底上的掩膜层、以及设置在半导体基体中的浅沟槽隔离结构，其中，所述半导体基体划分有阵列区域；在所述阵列区域的所述半导体基体中设置多个栅极堆叠结构；移除所述阵列区域的所述掩膜层，并降低所述阵列区域同一行的源极端之间的所述浅沟槽隔离结构，进而在所述源极端和漏极端形成第一半导体层；在所述源极端的第一半导体层中形成公共源极区，以及在所述漏极端的第一半导体层中形成漏极区，其中，同一行的多个栅极堆叠结构共用所述公共源极区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 存储器件的制造方法及存储器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号