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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供NORD闪存存储器版图及NORD闪存存储器，通过在端头区内设置多个第二浮栅图形以切断第一控制栅图形和所述第二控制栅图形，且在相邻两个端头区中，同一第一浮栅图形上的第二浮栅图形奇偶交错设置，以及第二浮栅图形包括位于所述第一浮栅图形上的第一部分和位于所述第一浮栅图形两侧的第二部分，所述第一部分与所述有源区阵列的距离大于所述第二部分与所述有源区阵列的距离。也即第二浮栅图形的第一部分朝远离有源区阵列的方向平移，增大了第二浮栅图形的第一部分与相邻有源区阵列的距离，降低了形成第二浮栅图形的工艺中在有源区阵列产生凹坑的风险。
主权项：1.一种NORD闪存存储器版图，其特征在于，包括多组端头区及位于相邻所述端头区之间的有源区阵列，所述有源区阵列包括多个有源区，以及第一浮栅版图层，所述第一浮栅版图层包括多个沿第一方向平行间隔排列且沿第二方向延伸的第一浮栅图形，所述第一浮栅图形横跨所述有源区阵列和所述端头区；控制栅版图层，所述控制栅版图层包括沿所述第一方向平行间隔排列且沿所述第二方向延伸的多个第一控制栅图形和多个第二控制栅图形，且每个所述第一浮栅图形上对应设置有一组隔离且横跨所述有源区阵列和所述端头区的所述第一控制栅图形和所述第二控制栅图形；第二浮栅版图层，所述第二浮栅版图层包括位于所述端头区内的多个第二浮栅图形，且在相邻两个所述端头区中，同一所述第一浮栅图形上的所述第二浮栅图形奇偶交错设置，以及所述第二浮栅图形包括位于所述第一浮栅图形上的第一部分和位于所述第一浮栅图形两侧的第二部分，所述第一部分与相邻所述有源区阵列的距离大于所述第二部分与相邻所述有源区阵列的距离。
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