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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种NORD闪存存储器及其形成方法，通过先在控制栅层上形成浮栅氮化硅层再形成控制栅隔离沟槽以切断端头区的控制栅层，且在控制栅隔离沟槽内形成填充层，然后去除浮栅氮化硅层和控制栅层。由于控制栅隔离沟槽内形成有填充层以及填充层与浮栅氮化硅层和控制栅层的刻蚀选择比不同，在去除浮栅氮化硅层和控制栅层之后，第一浅沟槽隔离结构上的填充层凸出于第一浅沟槽隔离结构的顶表面。本发明改变了浮栅氮化硅层和控制栅隔离沟槽的形成顺序，并增加了控制栅隔离沟槽内形成填充层，避免了端头区靠近有源区内浮栅一侧的第一浅沟槽隔离结构内形成碗状凹坑的问题，进而降低了有源区靠近控制栅隔离沟槽处形成凹坑的风险。
主权项：1.一种NORD闪存存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括有源区和相邻所述有源区之间的端头区，所述衬底上依次形成有控制栅层和浮栅氮化硅层，所述衬底的端头区内形成有用于隔离所述有源区的第一浅沟槽隔离结构；执行第一刻蚀工艺，以在所述端头区内形成控制栅隔离沟槽，所述控制栅隔离沟槽贯穿所述浮栅氮化硅层和所述控制栅层并将所述端头区的控制栅层切断，且暴露出所述第一浅沟槽隔离结构；在所述控制栅隔沟槽内形成填充层，所述填充层的高度高于所述控制栅层的顶表面并低于所述浮栅氮化硅层的顶表面；依次去除所述浮栅氮化硅层和所述控制栅层，所述第浅沟槽隔离结构上的所述填充层凸出于所述第一浅沟槽隔离结构的顶表面；形成字线，所述字线覆盖所述衬底和所述第一浅沟槽隔离结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 NORD闪存存储器及其形成方法
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