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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种器件和方法，第一栅极结构环绕设置在衬底上方的沟道层，第二栅极结构环绕设置在衬底上方的另一个沟道层，以及介电鳍结构形成在浅沟槽隔离部件上方以及第一栅极结构和第二栅极结构之间。至少一个金属化层形成在第一栅极结构、介电鳍状结构和第二栅极结构上，并从第一栅极结构连续延伸至第二栅极结构。本发明的实施例还涉及多栅极器件及其形成方法。
主权项：1.一种多栅极器件，包括：衬底；第一栅极结构，包裹设置在所述衬底上的沟道层周围；第二栅极结构，包裹设置在所述衬底上的另一沟道层周围；介电鳍结构，形成在浅沟槽隔离部件上方，其中，所述介电鳍结构在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；至少一个金属化层，在所述第一栅极结构、所述介电鳍结构和所述第二栅极结构上，并且从所述第一栅极结构连续地延伸到所述第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述介电鳍结构的每个的上表面提供连续的平坦表面，所述至少一个金属化层与所述连续的平坦表面接合，其中，所述至少一个金属化层包括晶种层和第一金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 多栅极器件及其形成方法
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