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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：本发明公开了用于制造包括半导体器件的装置的装置和技术。该半导体器件可包括一个或多个静态随机存取存储器SRAM晶体管，每个静态随机存取存储器SRAM晶体管包括第一栅极间隔件结构；一个或多个逻辑标称晶体管，每个逻辑标称晶体管包括第二栅极间隔件结构；和一个或多个逻辑栅极偏置晶体管，每个逻辑栅极偏置晶体管包括第三栅极间隔件结构，其中该第三栅极间隔件结构比该第一栅极间隔件结构薄，并且其中该一个或多个SRAM晶体管、该一个或多个逻辑标称晶体管和该一个或多个逻辑栅极偏置晶体管各自具有相同的接触多晶硅间距CPP。
主权项：1.一种装置，所述装置包括半导体器件，其中所述半导体器件包括：一个或多个静态随机存取存储器SRAM晶体管，每个静态随机存取存储器SRAM晶体管包括第一栅极间隔件结构；一个或多个逻辑标称晶体管，每个逻辑标称晶体管包括第二栅极间隔件结构；和一个或多个逻辑栅极偏置晶体管，每个逻辑栅极偏置晶体管包括第三栅极间隔件结构，其中所述第三栅极间隔件结构比所述第一栅极间隔件结构薄，并且其中所述一个或多个SRAM晶体管、所述一个或多个逻辑标称晶体管和所述一个或多个逻辑栅极偏置晶体管各自具有相同的接触多晶硅间距CPP。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 SRAM栅极间隔件结构
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