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申请/专利权人：链行走新材料科技(广州)有限公司
摘要：本发明公开了一种空穴传输层材料Spiro‑OMeTAD的合成方法，包括如下步骤：在氮杂环卡宾钯配合物催化下，2,2’,7,7’‑四溴‑9,9’‑螺二芴和4,4’‑二甲氧基二苯胺反应，得空穴传输层材料Spiro‑OMeTAD；所述氮杂环卡宾钯配合物的结构如式Ⅰ所示：式Ⅰ；本发明通过采用氮杂环卡宾钯配合物催化制备空穴传输层材料Spiro‑OMeTAD，具有催化剂用量小、产物纯度高和催化效率高的优点，克服了膦配体催化毒性大等问题。
主权项：1.一种空穴传输层材料Spiro-OMeTAD的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：在氮杂环卡宾钯配合物催化下，2,2’,7,7’-四溴-9,9’-螺二芴和4,4’-二甲氧基二苯胺反应，得空穴传输层材料Spiro-OMeTAD；所述氮杂环卡宾钯配合物的结构如式Ⅰ所示： 式Ⅰ其中，R1、R2和R3独立选自H或C1~C6烷基，X选自Cl或Br。
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权利要求：
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