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申请/专利权人：南昌大学
摘要：本申请属于钙钛矿光电器件技术领域，公开了一种高稳定性spiro‑OMeTAD空穴传输层及含该空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述高稳定性spiro‑OMeTAD空穴传输层的制备方法，包括：S1，将spiro‑OMeTAD溶解于溶剂中，得到spiro‑OMeTAD溶液；将氢键供体和LiTFSI混合均匀，加热，得到超分子深共晶溶剂；S2，将spiro‑OMeTAD溶液加入超分子深共晶溶剂中，加热，得到前驱液；S3，将所述前驱液涂覆在衬底表面，即得高稳定性spiro‑OMeTAD空穴传输层。本申请的空穴传输层避免了乙腈溶剂对钙钛矿薄膜的腐蚀以及高温下tBP挥发而在spiro‑OMeTAD空穴传输层产生孔洞，同时有效抑制了Li+迁移，且通过在spiro‑OMeTAD中引入聚合物网络，提高了空穴传输层的抗拉抗断裂能力及其与钙钛矿吸光层的界面粘附力，提高了空穴传输层的稳定性。
主权项：1.一种高稳定性spiro-OMeTAD空穴传输层的制备方法，其特征在于，包括：S1，将spiro-OMeTAD溶解于溶剂中，得到spiro-OMeTAD溶液；将氢键供体和LiTFSI混合均匀，加热，得到超分子深共晶溶剂；S2，将spiro-OMeTAD溶液加入超分子深共晶溶剂中，加热，得到前驱液；S3，将所述前驱液涂覆在衬底表面，即得高稳定性spiro-OMeTAD空穴传输层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南昌大学 一种高稳定性spiro-OMeTAD空穴传输层及含该空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
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