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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种具有全新空穴载流子提供方式的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法，属于光电子领域，包括GaAs衬底，在衬底上由下至上依次包括GaAs缓冲层、Alx1Ga1‑x1AsN限制层、Alx2Ga1‑x2As下波导层、Iny1Ga1‑y1As量子阱层、Alx3Ga1‑x3As上波导层、Alx4Ga1‑x4AsP限制层和GaAs欧姆接触层；其中，Alx3Ga1‑x3As上波导层和Alx4Ga1‑x4AsP限制层均为H+掺杂。本发明采用H+间隙替代方式取代传统C掺杂、Mg掺杂、Zn掺杂提供空穴的方式，H+具有高迁移率、低吸收系数、高填充密度以及高激活率完美解决了传统载流子的弊端。
主权项：1.一种具有全新空穴载流子提供方式的GaAs大功率激光器外延片，其特征在于，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上由下至上依次包括GaAs缓冲层、Alx1Ga1-x1AsN限制层、Alx2Ga1-x2As下波导层、Iny1Ga1-y1As量子阱层、Alx3Ga1-x3As上波导层、Alx4Ga1-x4AsP限制层和GaAs欧姆接触层；其中，0.2≤x1≤0.4，0.1≤x2≤0.3，0.1≤x3≤0.3，0.6≤x4≤0.9；0.5≤y1≤0.6；Alx3Ga1-x3As上波导层和Alx4Ga1-x4AsP限制层均为H+掺杂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种具有全新空穴载流子提供方式的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法
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