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申请/专利权人：四川大学;西安空间无线电技术研究所
摘要：本发明公开了基于零开启GaAsHEMT的整流器，整流器的晶圆包括依次层叠连接的n+AlGaAs势垒层、未掺杂AlGaAs隔离层、GaAs缓冲层和衬底，所述n+AlGaAs势垒层的上表面左右两侧设置有GaAs帽层。本发明的器件能够实现超低输入功率‑30dBm附近的高效率整流，实现高效率的超低微波射频能量收集系统，同时解决了MOS的外加栅控电压耗电远大于系统接收功率的负功率转化问题。
主权项：1.基于零开启GaAsHEMT的整流器，其特征在于，所述整流器的晶圆包括依次层叠连接的n+AlGaAs势垒层、未掺杂AlGaAs隔离层、GaAs缓冲层和衬底，所述n+AlGaAs势垒层的上表面左右两侧设置有GaAs帽层；所述两侧的GaAs帽层上分别设置有源极和漏极，所述n+AlGaAs势垒层上设置有栅极，所述栅极位于源极和漏极之间，栅极与漏极或源极连接；所述源极和漏极均包括依次设置的合金层、隔离层和导电层，所述合金层由镍、金和锗组成，隔离层材质为镍，导电层材质为金；栅极由镍、钛和金堆叠组成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川大学 西安空间无线电技术研究所 基于零开启GaAs HEMT的整流器及制备方法
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