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申请/专利权人：苏州立琻半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种光电芯片及其制备方法，通过对第二电极与衬底之间欧姆接触区域的位置以及面积大小的设计，有目的地设置第二电极的欧姆接触区域位置和面积发生变化。在靠近键合电极区的一端，欧姆接触面积小或者没有欧姆接触，在朝着逐渐远离键合电极区的方向上，欧姆接触的面积逐渐增大，以此调节背面（第二电极所在侧）衬底的第二电流扩展电阻以及欧姆接触电阻，补偿因第一电极上电流传输距离不同（第一电流扩展电阻不同）导致的各个发射孔电流密度不均匀问题，使得整个器件的所有发射孔的出光更加均匀。
主权项：1.一种光电芯片，其特征在于，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；呈线型排设的多个发光单元，形成在所述衬底的第一表面上，每个所述发光单元沿远离所述衬底的方向依次包括第一反射层、有源层、具有发射孔的限制层和第二反射层；第一电极，电连接所述多个发光单元的第二反射层，所述第一电极包括位于所述多个发光单元的一端或两端的键合电极区；隔离层，形成在所述衬底的第二表面上，所述隔离层上形成有贯穿设置以暴露所述衬底的一个或多个窗口；第二电极，形成在所述隔离层表面且通过所述窗口与所述衬底欧姆接触连接；其中，在所述多个发光单元的排列方向上，所述第二电极与所述衬底之间的欧姆接触面积在远离所述键合电极区的方向上呈增大趋势且所述第二电极与所述衬底之间的欧姆接触面积在靠近所述键合电极区的一端相较于远离所述键合电极区的一端小或者没有欧姆接触；所述发光单元为垂直腔面发射激光器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州立琻半导体有限公司 光电芯片及其制备方法
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