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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本发明提供一种用于研制氮化镓开关和功率放大器的HEMT器件及制备方法。该HEMT器件包括：衬底、缓冲层，多个组合层、源极、漏极、漏极和钝化层；多个组合层内部设有第一凹槽和第二凹槽；第一凹槽设于多个组合层中最底层的势垒层上方至多个组合层中最顶层的势垒层上方；第二凹槽在第一凹槽靠近漏极的一侧的底部向下延伸至组合层中最底层的势垒层内部；栅极，设于第一凹槽内，且顶面高于多个组合层中最顶层的势垒层上方，栅极的一侧贴在靠近源极的第一凹槽的一侧，栅极的另一侧与靠近源极的第二凹槽的一侧在同一垂直线上。本发明能够提升HEMT器件电流密度、降低器件导通电阻以及改善HEMT器件的耐压性能。
主权项：1.一种用于研制氮化镓开关和功率放大器的HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，设于所述衬底上方；多个组合层，层叠设于所述缓冲层上方，每个组合层包括一个GaN沟道层以及位于该GaN沟道层上方的势垒层；源极，设于所述多个组合层中最顶层的势垒层上方；漏极，设于所述多个组合层中最顶层的势垒层上方；所述多个组合层内部设有第一凹槽和第二凹槽；所述第一凹槽设于所述多个组合层中最底层的势垒层上方至所述多个组合层中最顶层的势垒层上方；所述第二凹槽在所述第一凹槽靠近所述漏极的一侧的底部向下延伸至所述多个组合层中最底层的势垒层内部；栅极，设于所述第一凹槽内，且顶面高于所述多个组合层中最顶层的势垒层上方，所述栅极的一侧贴在靠近所述源极的所述第一凹槽的一侧，所述栅极的另一侧与靠近所述源极的所述第二凹槽的一侧在同一垂直线上；钝化层，覆盖所述源极、所述漏极、所述栅极、所述第二凹槽以及所述多个组合层中最顶层的势垒层未被遮挡的区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 用于研制氮化镓开关和功率放大器的HEMT器件结构及制备方法
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