龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种高电子迁移率晶体管，其包括第一帽层、阻挡层、第一GaAs层、平面掺杂层和InxGa1‑xAs接触层，阻挡层设置在第一帽层之上，第一GaAs层设置在阻挡层之上，平面掺杂层设置在第一GaAs层之上，InxGa1‑xAs接触层设置在平面掺杂层之上，0.1≤x≤0.3。借此设置，可以避免InxGa1‑xAs接触层和GaAs层之间的晶格失配问题，提高高电子迁移率晶体管器件的电学性能和可靠性，并且还可有效降低高电子迁移率晶体管器件的欧姆接触电阻。
主权项：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管包括复合帽层，所述复合帽层包括：第一帽层；阻挡层，设置在所述第一帽层之上；第一GaAs层，设置在所述阻挡层之上；平面掺杂层，设置在所述第一GaAs层之上；InxGa1-xAs接触层，设置在所述平面掺杂层之上，其中，0.1≤x≤0.3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门市三安集成电路有限公司 高电子迁移率晶体管和集成HEMT器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号