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申请/专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
摘要：本发明公开了一种晶体管中场氧化层制备方法及晶体管结构，应用于半导体制备领域，包括：提供包括多个待加厚底部绝缘介质层的沟槽的待制备MOS器件，在未取出待制备MOS器件的情况下，循环交替执行沉积工艺和刻蚀工艺，以利用沉积工艺将绝缘介质材料填充至沟槽的表面，利用刻蚀工艺刻蚀沟槽的顶部沉积的绝缘介质材料，以在循环制备过程加厚沟槽的底部绝缘介质层，完成晶体管中场氧化层的制备。本发明通过在未取出待制备MOS器件的情况下，循环交替执行沉积工艺和刻蚀工艺，以通过刻蚀时间控制沟槽的顶部沉积绝缘介质材料后的开口尺寸，避免沉积过程中在沟槽顶部开口处出现收口形状，进而避免沟槽中出现填充缺陷，提高制备良率。
主权项：1.一种晶体管中场氧化层制备方法，其特征在于，包括：提供待制备MOS器件，所述待制备MOS器件包括多个待加厚底部绝缘介质层的沟槽；在未取出所述待制备MOS器件的情况下，循环交替执行沉积工艺和刻蚀工艺，以利用所述沉积工艺将绝缘介质材料填充至所述沟槽的表面，利用所述刻蚀工艺刻蚀所述沟槽的顶部沉积的绝缘介质材料，以在循环制备过程加厚所述沟槽的底部绝缘介质层，完成晶体管中场氧化层的制备。
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百度查询： 上海鼎泰匠芯科技有限公司 一种晶体管中场氧化层制备方法及晶体管结构
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