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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法。在所述集成芯片中，栅极电极在源极区与漏极区之间上覆于衬底。漂移区横向布置在栅极电极与漏极区之间。多个层间介电ILD层上覆于衬底。多个层间介电层包含位于第二层间介电层之下的第一层间介电层。多个导电互连层设置在多个层间介电层内。场板从第一层间介电层的顶部表面延伸到通过第一层间介电层与漂移区竖直分离的点。场板在朝向漏极区的方向上与栅极电极横向偏移达非零距离。场板包含与多个导电互连层中的至少一者相同的材料。
主权项：1.一种集成芯片，包括：栅极电极，在源极区与漏极区之间上覆于衬底；漂移区，横向布置在所述栅极电极与所述漏极区之间；多个层间介电层，上覆于所述衬底，其中所述多个层间介电层包括位于第二层间介电层之下的第一层间介电层；多个导电互连层，设置在所述多个层间介电层内且包括多个接触件，所述多个接触件设置在所述第一层间介电层内且上覆于所述源极区、所述漏极区以及所述栅极电极，其中所述多个导电互连层还包括多个导线，所述多个导线设置在第二层间介电层内且上覆于所述多个接触件；以及场板，从所述第一层间介电层的顶部表面延伸到通过所述第一层间介电层与所述漂移区竖直分离的点，其中所述场板在朝向所述漏极区的方向上与所述栅极电极横向偏移达非零距离，且其中所述场板包括与所述多个导电互连层中的至少一者相同的材料；其中所述多个导线分别具有延伸到所述第一层间介电层中且环绕其下方的所述多个接触件中的一者或所述场板的突起。
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