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申请/专利权人：浙江创芯集成电路有限公司
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底；第一栅极结构，位于所述基底上；第二栅极结构，位于所述第一栅极结构一侧的基底上；阻挡层，位于所述基底上，所述阻挡层覆盖所述第二栅极结构，以及覆盖所述第一栅极结构的侧壁和部分顶部的一部分，其中，被覆盖的第一栅极结构的一部分靠近所述第二栅极结构；场板结构，位于所述阻挡层上，所述场板结构在所述基底上的投影覆盖所述第二栅极结构，且未覆盖所述第一栅极结构；其中，所述第二栅极结构的导通率大于所述阻挡层的导通率。采用上述技术方案，能够提高LDMOS器件的可靠性。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；第一栅极结构，位于所述基底上；第二栅极结构，位于所述第一栅极结构一侧的基底上；阻挡层，位于所述基底上，所述阻挡层覆盖所述第二栅极结构，以及覆盖所述第一栅极结构的侧壁和部分顶部的一部分，其中，被覆盖的第一栅极结构的一部分靠近所述第二栅极结构；场板结构，位于所述阻挡层上，所述场板结构在所述基底上的投影覆盖所述第二栅极结构，且未覆盖所述第一栅极结构；其中，所述第二栅极结构的导通率大于所述阻挡层的导通率。
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权利要求：
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