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申请/专利权人:物元半导体技术(青岛)有限公司
摘要:本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构,其中,该半导体制造方法至少包括以下步骤:提供一半导体衬底;在半导体衬底需要进行隔离的一侧的表面形成氧化物层;执行离子注入工艺,向氧化物层和半导体衬底中掺杂杂质;在掺杂了杂质后的氧化物层之上形成氮化物层;移除需要进行隔离的区域中的氮化物层和氧化物层,形成延伸至半导体衬底表面的打开区域;通过炉管热氧化工艺在打开区域中生长隔离部,获得局部硅氧化结构。通过注入杂质,对硅的热氧化速率进行调整,可调整鸟嘴结构的形态,从而获得期望形态的鸟嘴结构。
主权项:1.一种半导体制造方法,其特征在于,至少包括以下步骤:提供一半导体衬底;在所述半导体衬底需要进行隔离的一侧的表面形成氧化物层;执行离子注入工艺,向所述氧化物层和所述半导体衬底中掺杂杂质;在掺杂了杂质后的所述氧化物层之上形成氮化物层;移除需要进行隔离的区域中的所述氮化物层和所述氧化物层,形成延伸至所述半导体衬底表面的打开区域;通过炉管热氧化工艺在所述打开区域中生长隔离部,获得局部硅氧化结构。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 物元半导体技术(青岛)有限公司 半导体制造方法及半导体结构
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