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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
摘要：提供一种能够实现集成度高的半导体装置。该半导体装置包括彼此电连接的第一及第二晶体管以及第一绝缘层，其中第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一至第三导电层，第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四至第六导电层，第一绝缘层位于第一导电层上且包括到达第一导电层的开口，第二导电层位于第一绝缘层上，第一半导体层接触于第一导电层的顶面、开口的内壁以及第二导电层，第三导电层以在第二绝缘层上重叠于开口的内壁的方式设置，第三绝缘层位于第四导电层上，第五及第六导电层隔着第三绝缘层在第四导电层上设置，第二半导体层接触于第五及第六导电层的顶面、彼此相对的侧面以及夹在第五导电层与第六导电层之间的第三绝缘层的顶面。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及第一绝缘层，其中，所述第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一导电层至第三导电层，所述第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四导电层至第六导电层，所述第一绝缘层设置在所述第一导电层上且包括到达所述第一导电层的开口，所述第二导电层设置在所述第一绝缘层上，所述第一半导体层接触于所述第一导电层的顶面、所述开口的内壁以及所述第二导电层，所述第三导电层以具有隔着所述第二绝缘层重叠于所述开口的内壁的区域的方式设置在所述第一半导体层上，所述第三绝缘层设置在所述第四导电层上，在俯视时所述第五导电层以与所述第三导电层之间具有间隔且具有重叠于所述第四导电层的区域的方式设置在所述第三绝缘层上，在俯视时所述第六导电层与所述第五导电层相对且以覆盖所述第四导电层的侧端部的方式设置在所述第三绝缘层上，所述第二半导体层以接触于所述第五导电层的顶面、所述第六导电层的顶面、所述第五导电层及所述第六导电层的彼此相对的侧面以及夹在所述第五导电层与所述第六导电层之间的区域中的所述第三绝缘层的顶面的方式设置，并且，所述第一晶体管的源电极、漏电极和栅电极中的任一个与所述第二晶体管的源电极、漏电极和栅电极中的任一个电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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