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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

摘要：一种制造半导体器件10的方法包括提供第一导电类型的半导体区域14。第一区域141在该半导体区域内具有第一导电类型。该第一区域提供用于JFET器件110的JFET沟道区域141A。在该第一区域内提供具有第二导电类型的第二区域31。该第二区域提供用于MOSFET器件的主体区域和用于该JFET器件的栅极区域。该第二区域包括第一部分31A和在该第一部分下面的第二部分31B。该第二部分具有比该第一部分更高的峰值掺杂物浓度。在该第二区域内提供具有第一导电类型并与该第二区域自对准的第三区域37。该第三区域提供用于该JFET器件的JFET源极。

主权项：1.一种用于制造半导体器件10的方法，所述方法包括：提供半导体材料主体11，所述半导体材料主体包括：衬底12；和半导体区域14，所述半导体区域位于所述衬底上方并且具有第一导电类型，其中所述半导体区域包括所述半导体主体的第一侧11A，并且所述衬底包括所述半导体材料主体的与所述第一侧相对的第二侧11B；在所述半导体区域内提供具有所述第一导电类型的第一掺杂区域141，其中所述第一掺杂区域提供用于第一JFET器件110的第一JFET沟道区域141A；在所述第一侧上方提供包括位于所述第一掺杂区域上方的第一开口51A的第一掩模51；在所述第一掺杂区域内提供具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂区域31，其中所述第二掺杂区域提供用于MOSFET器件的主体区域、用于所述第一JFET器件的栅极区域和用于第二JFET器件120的第一JFET栅极；在所述第一开口内提供第一间隔件结构52以限定小于所述第一开口的第二开口52A；在与所述第二开口对准的所述第二掺杂区域内提供具有所述第一导电类型的第三掺杂区域37，其中所述第三掺杂区域提供用于所述第二JFET器件的第二JFET沟道区域、用于所述第一JFET器件的第一JFET源极和用于所述第二JFET器件的JFET漏极；在所述第二开口内提供与所述第一间隔件结构相邻的第二间隔件结构53以限定小于所述第二开口的第三开口；在与所述第三开口对准的所述第三掺杂区域内提供所述第二导电类型的第四掺杂区域34，其中所述第四掺杂区域提供用于所述第二JFET器件的第二JFET栅极；提供具有所述第一导电类型的与所述第四掺杂区域相邻的第五掺杂区域33，其中所述第五掺杂区域提供用于所述MOSFET器件的源极和用于所述第二JFET器件的第二JFET源极；以及提供具有所述第二导电类型的延伸穿过所述第五掺杂区域的一部分并且耦接到所述第二掺杂区域的第六掺杂区域36，其中所述第六掺杂区域提供用于所述MOSFET器件的主体触点和用于所述第二JFET器件的到所述第一JFET栅极的栅极触点。

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