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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本实用新型提供了一种功率半导体器件，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面；多个第一沟槽和多个第二沟槽，形成于所述衬底中，所述第二沟槽位于相邻两个所述第一沟槽之间，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；所述第二沟槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分从所述衬底的第一表面延伸至所述衬底内部，所述第二部分从所述第一部分底面向所述衬底的第二表面方向延伸，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；栅极结构，形成于所述第一沟槽中；接触插塞，形成于所述第二沟槽中。本实用新型的技术方案使得能够提高功率半导体器件的抗闩锁能力。
主权项：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面；多个第一沟槽和多个第二沟槽，形成于所述衬底中，所述第二沟槽位于相邻两个所述第一沟槽之间，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；所述第二沟槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分从所述衬底的第一表面延伸至所述衬底内部，所述第二部分从所述第一部分底面向所述衬底的第二表面方向延伸，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；栅极结构，形成于所述第一沟槽中；接触插塞，形成于所述第二沟槽中。
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