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申请/专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
摘要：一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一位线连接线和第二位线连接线，第一半导体结构包括感测放大器电路，第二半导体结构通过键合与第一半导体结构连接，且包括第一存储单元，第三半导体结构通过键合与第二半导体结构连接，且包括第二存储器单元，第一位线连接线与第一存储器单元相关联，第二位线连接线与第二存储器单元相关联，第一位线连接线和第二位线连接线通过感测放大器电路彼此比较地耦合，第一位线连接线和第二位线连接线的长度差值小于等于2微米。可以降低相邻位线的耦合电容，提高抗串扰能力，同时可以减小信号传输时间延迟差异，提高器件的稳定性和可靠性。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括感测放大器电路；第二半导体结构，所述第二半导体结构通过键合与所述第一半导体结构连接，所述第二半导体结构包括第一存储器单元；第三半导体结构，所述第三半导体结构通过键合与所述第二半导体结构连接，所述第三半导体结构包括第二存储器单元；第一位线连接线，所述第一位线连接线与所述第一存储器单元相关联；第二位线连接线，所述第二位线连接线与所述第二存储器单元相关联；所述第一位线连接线和所述第二位线连接线通过所述感测放大器电路彼此比较地耦合；所述第一位线连接线和所述第二位线连接线的长度差值小于等于2微米。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫科技集团股份有限公司 半导体器件和半导体器件的制备方法
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