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申请/专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
摘要：本申请提供的半导体器件，包括半导体外延片、若干半导体元胞和栅极总线，半导体外延片包括有源区和围绕有源区外的边缘终端区；若干半导体元胞设置在有源区，且半导体元胞从有源区延伸至有源区的边缘；栅极总线设置在边缘终端区上，且栅极总线围绕有源区，并与每个半导体元胞中的栅极结构的端部相连。具体的，通过将栅极总线设置在边缘终端区上，与每个栅极结构的端部相连，从节省了有源区的面积，使得半导体器件中除了边缘终端区外基本都是有源区，进而能够提高器件的出流能力，以及减少导通电阻，且不影响器件的可靠性。
主权项：1.一种半导体器件，其中，所述半导体器件包括：半导体外延片，所述半导体外延片包括有源区和围绕所述有源区外的边缘终端区；若干半导体元胞，设置在所述有源区，每个所述半导体元胞均包括设置在所述半导体外延片内的阱区、阱区接触区、源区，以及包括设置在半导体外延片上且位于相邻两个所述源区之间的栅极结构，所述阱区、所述阱区接触区和所述源区均沿所述半导体外延片的表面沿所述半导体外延片内延伸；所述半导体元胞从所述有源区延伸至所述有源区的边缘；栅极总线，设置在所述边缘终端区上，且所述栅极总线围绕所述有源区，并与每个所述栅极结构的端部相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 半导体器件
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