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申请/专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
摘要：本申请公开了一种SGT器件制备方法及SGT器件，属于半导体制造领域，该方法包括：在衬底表面形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁和底部沿厚度方向依次形成第一介质材料层和栅极材料层；去除第一沟槽的底部的第一介质材料层和栅极材料层，形成栅极和第二沟槽，使栅极靠近第二沟槽的侧面和栅极的底部覆盖的第一介质材料层表面的夹角不小于90°，并使第一沟槽的底部的衬底暴露；在第一沟槽的底部暴露的衬底表面形成第三沟槽，使第三沟槽和第二沟槽连通后构成第四沟槽；在第四沟槽的侧壁和底部形成第二介质材料层；在第二介质材料层包围的区域内填充屏蔽栅极材料，形成屏蔽栅极。本申请通过上述方法解决了栅极漏电问题。
主权项：1.一种SGT器件制备方法，其特征在于，包括：在衬底表面形成第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁和底部沿厚度方向依次形成第一介质材料层和栅极材料层；去除所述第一沟槽的底部的所述第一介质材料层和所述栅极材料层，形成栅极和第二沟槽，使所述栅极靠近所述第二沟槽的侧面和所述栅极的底部覆盖的所述第一介质材料层表面的夹角不小于90°，并使所述第一沟槽的底部的所述衬底暴露；在所述第一沟槽的底部暴露的所述衬底表面形成第三沟槽，使所述第三沟槽和所述第二沟槽连通后构成第四沟槽；在所述第四沟槽的侧壁和底部形成第二介质材料层；在所述第二介质材料层包围的区域内填充屏蔽栅极材料，形成屏蔽栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海鼎泰匠芯科技有限公司 一种SGT器件制备方法及SGT器件
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