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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了抑制中压SGTMOSFET横向漏电的终端设计结构、制作方法及应用，该终端设计结构通过在终端沟槽保护环阵列底部处进行低能量离子注入，从而形成低能量离子注入层，低能量离子注入层进而成型为抑制结构，可以有效改善IDSS电流流动方向，抑制横向漏电流路径，并且能够改变碰撞电离路径，在保持主结电势不变的同时，可有效缓解终端电场集中效应对功率器件的影响，以提升分立器件正向耐压特性和可靠性；有效提高硅功率器件良品率，极大节约制造成本。该工艺简单，有利于产品成本控制和大批量生产，具有高转化价值。
主权项：1.抑制中压SGTMOSFET横向漏电的终端设计结构，所述中压SGTMOSFET具有有源区沟槽和终端区沟槽，所述终端区沟槽构成保护环阵列，其特征在于：所述终端设计结构为在所述保护环阵列外围设置的抑制结构，该抑制结构改变所述保护环阵列的横向漏电电流的方向，并阻隔所述横向漏电电流的流通通道。
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百度查询： 华羿微电子股份有限公司 抑制中压SGT MOSFET横向漏电的终端设计结构、制作方法及应用
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